绕开ASML专利！俄自主EUV光刻技术路线图发布，11年剑指9nm！
2036年9纳米，俄罗斯把日历钉在墙上，像给棺材钉最后一颗钉子。11.2纳米波长、氙等离子体、特殊反射镜，这三件套不是技术，是免责声明：告诉国内厂商“别怕专利，咱们走野路”。
ASML用13.5纳米啃到2纳米，俄罗斯直接砍到11.2纳米，数字越小越唬人，真实目的是把“绕开”写进PPT，好让财政部在寒冬里继续打钱。
350纳米到9纳米，中间隔着整整26年的西方进度。
路线图分三段：2026年40纳米，2032年28纳米，2036年9纳米。
每一步都精确卡在西方节点后三到五年，这不是追赶，是故意留好台阶，方便到时候宣布“超额完成”。
真要做40纳米，用深紫外就能解决，根本不必搬EUV，可那样就凑不够11年预算，所以必须把40纳米也写成“EUV前期验证”，一张发票吃两次。
11.2纳米波长最狡猾的地方在于：全球没有对应的光刻胶、没有掩膜基板、没有缺陷检测光源。
供应链为零，意味着俄罗斯可以名正言顺把“空白”说成“自主”。
材料端从零做起，正好再拉十年经费；设备端用氙等离子体，是因为氙气还能从空气分离装置里抠点库存，比锡滴液激光省钱，也省得向国外买激光器。
反射镜说要“特殊”，特殊到连粗糙度指标都没给，留足后期降标空间。
ASML 2030年交1纳米，俄罗斯2036年交9纳米，表面差8倍，实际差两代。
1纳米时代需要高数值孔径、需要变形镜头、需要原子级表面，这些俄罗斯提都没提，因为提了就会露馅。
9纳米只是数字游戏，真流片时把线宽做宽一点，再靠多重曝光硬撑，最后宣布“等效9纳米”，媒体照样鼓掌。
中国路线就老实得多：继续用13.5纳米，把激光器功率从250瓦往500瓦推，反射镜粗糙度从50皮米压到30皮米，光刻胶单体一个个换着试。
目标不是“绕专利”，而是“专利到期那天我们立刻无缝顶上”。
哈工大2025年出3纳米原型，不是吹牛，是给国内晶圆厂送样片，让设备、材料、工艺一起跑马拉松。
俄罗斯把专利当墙，中国把专利当倒计时，这是两种生存策略。
最要命的是人才。
ASML2022年财报显示，光刻机核心研发人员平均年龄34岁，俄罗斯同领域工程师平均52岁，中间断档18年。
11年计划刚好覆盖一代人退休，到时候可以把“经验不足”当成新理由再续十年。
预算循环比技术循环更稳。
2036年就算真做出9纳米，也没人敢把高端芯片交给一条没有售后、没有二手市场、没有升级路径的生产线。
俄罗斯要的本来就不是市场，是“活着”——只要机器能点亮，西方制裁就不好意思说“彻底封杀”，谈判桌上多一张牌。
芯片性能是副产品，政治续命才是核心。
中国不一样，芯片卖不出去就死，所以必须真把良率做到90%以上。
俄罗斯可以宣布胜利后把机器锁进仓库，中国不行，每一台光刻机都得在晶圆厂24小时连轴转，跑不出良率就破产。
压力不同，路线自然分岔。
11年赌一局，俄罗斯押的是时间差：万一国际局势再乱一点，9纳米也能临时当救命粮。
中国押的是产业链：只要有人买，就必须做到2纳米、1纳米、0.5纳米，停不下来。
两条路，一个求存，一个求赢。
11.2纳米的光，照得出硅片，也照得出底牌。
俄罗斯真想打破垄断，还是只想在垄断旁边搭个草台？
2036年见分晓。
到时候，9纳米机器摆在那儿，你敢不敢用它造手机芯片？
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